在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
正确答案:
腐蚀停止目的：为了精确控制腐蚀深度.P++腐蚀停止技术（形成重掺杂B层）：
Si的湿法腐蚀速率在B掺杂浓度<1×1019cm-3是稳定的值
但当B掺杂浓度>5×1019cm-3时腐蚀基本停止
因此可用形成重掺杂B层来精确控制腐蚀深度（P++）
[B]>1020cm-3时KOH腐蚀速率可减小20-100X
可以使用气态或固体B扩散源来制作
腐蚀机理：Si+2OH-→𝐒𝐢（𝐎𝐇）2+2+4𝐞-4𝑯2O+4𝐞−→4（𝐎𝐇）-+2𝑯2在重掺杂情况下，电子与空穴复合，从而第二个反应难以进行，减小腐蚀速率
与IC工艺不兼容
大的残余应力可能会引起硅片翘曲电化学腐蚀停止技术电化学钝化：在硅片上加以足够大的阳极电势时，会在硅片表面发生氧化从而阻止腐蚀的进行。钝化电势：在钝化电势作用下会形成薄层Si𝑶2，钝化电势大小与p-Si和n-Si相关基本要求：硅片一定要在阳极 要产生钝化效果，一定要有电流
反向偏置的PN结满足这一要求其他腐蚀停止技术：定时腐蚀；介质腐蚀停止（𝑺𝒊3𝑵4）
答案解析:有
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