说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。
答案解析:有
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