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半导体芯片制造工

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采用无定形掩膜的情况下进行注入,若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000,掩蔽膜的厚度应为多少?用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

正确答案: 无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示:
其中,Rp为投影射程,ΔRp为投影射程的标准偏差,φ为剂量。以上为浓度与深度的函数变化关系。由于离子注入过程的统计特性,离子也有穿透掩蔽膜边缘的横向散射,因此分布应考虑为二维的,既有横向也有纵向的标准偏差。射程估算:如果注入离子能量比Ec大很多,则离子在靶内主要以电子阻止形式损失能量,可按下式估算射程:R≈K1E1/2如果注入离子的能量E<
答案解析:
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