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半导体芯片制造工

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描述热氧化过程。

正确答案:①干氧:Si+O2 SiO2
氧化速度慢,氧化层干燥、致密,均匀性、重复性好,与光刻胶 的粘附性好
②水汽氧化:Si+H2O SiO2(固)+H2(气)
氧化速度快,氧化层疏松,均匀性差,与光刻胶的粘附性差
③湿氧:氧气携带水汽,故既有Si与氧气反应,又有与水汽反应
氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间
答案解析:
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