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半导体芯片制造工

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热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。

正确答案: 离子注入后会对晶格造成简单晶格损伤和非晶层形成;损伤晶体空位密度大于非损伤晶体,且存在大量间隙原子和其他缺陷,使扩散系数增大,扩散效应增强;故,虽然热退火温度低于热扩散温度,但杂质的扩散也是非常明显的,出现高斯展宽与拖尾现象。
答案解析:
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