试比较静态RAM和动态RAM的优缺点，并说明有何种方法可解决掉电时动态RAM中信息的保护。
正确答案:静态RAM---存-储一位信息的单元电路可以用双极型器件构成，也可用MOS器件构成。双极型器件构成的电路存取速度快，但工艺复杂，集成度低，功耗大，一般较少使用这种电路，而采用MOS器件构成的电路。静态RAM的单元电路通常是由6个MOS管子组成的双稳态触发器电路，可以用来存储信息“0”或者“1”，只要不掉电，“0”或“1”状态能一直保持，除非重新通过写操作写入新的数据。同样对存储器单元信息的读出过程也是非破坏性的，读出操作后，所保存的信息不变。使用静态RAM的优点是访问速度快，访问周期达20~40ns。静态RAM工作稳定，不需要进行刷新，外部电路简单，但基本存储单元所包含的管子数目较多，且功耗也较大，它适合在小容量存储器中使用。动态RAM---与-静态RAM一样，由许多基本存储单元按行和列排列组成矩阵。最简单的动态RAM的基本存储单元是一个晶体管和一个电容，因而集成度高，成本低，耗电少，但它是利用电容存储电荷来保存信息的，电容通过MOS管的栅极和源极会缓慢放电而丢失信息，必须定时对
电容充电，也称刷新。另外，为了提高集成度，减少引脚的封装数，DRAM的地址线分成行地址和列地址两部分，因此，在对存储器进行访问时，总是先由行地址选通信号RAS把行地址送入内部设置的行地址锁存器，再由列地址选通信号CAS把列地址送入列地址锁存器，并由读/写信号控制数据的读出或写入。所以刷新和地址两次打入是DRAM芯片的主要特点。动态RAM需要配置刷新逻辑电路，在刷新周期中，存储器不能执行读/写操作，但由于它的单片上的高位密度（单管可组成）和低功耗（每个存储单元功耗为0.05mw，而静态RAM为0.2mw），及价格低廉等优点，使之在组成大容量存储器时作为主要使用器件。
电容充电，也称刷新。另外，为了提高集成度，减少引脚的封装数，DRAM的地址线分成行地址和列地址两部分，因此，在对存储器进行访问时，总是先由行地址选通信号RAS把行地址送入内部设置的行地址锁存器，再由列地址选通信号CAS把列地址送入列地址锁存器，并由读/写信号控制数据的读出或写入。所以刷新和地址两次打入是DRAM芯片的主要特点。动态RAM需要配置刷新逻辑电路，在刷新周期中，存储器不能执行读/写操作，但由于它的单片上的高位密度（单管可组成）和低功耗（每个存储单元功耗为0.05mw，而静态RAM为0.2mw），及价格低廉等优点，使之在组成大容量存储器时作为主要使用器件。
答案解析:有
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