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化学工程

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下面有关化学位移描述正确的是（）。

  • A、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小
  • B、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大
  • C、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小
  • D、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
正确答案:A
答案解析:有
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