多做题，通过考试没问题！
平板显示技术考试
睦霖题库
>
通信电子计算机技能考试
>
平板显示技术考试
简述背沟道阻挡结构的优缺点。
正确答案:
优点是a-Si：H层可以做得比较薄，一般厚度是300~500Å，薄膜的生产性好，关态电流很小；刻蚀选择比大，刻蚀条件宽松，工艺简单；缺点是比背沟道刻蚀型结构要多增加一次光刻，成本增加，节拍时间长。
答案解析:
有
进入题库查看解析
微信扫一扫手机做题
最新试题
·
简述场致发射的结构及原理。
·
描述MVA技术如何实现的广视角？
·
光度学中有哪几个主要物理量？它们是如何定
·
简述有机薄膜晶体管的特点。
·
几种常见的电子发射是什么？
·
简述PDP显示的面板结构。
·
简述向列相液晶的特点
·
描述采用ODF工艺的制屏工艺流程。
·
增强场致电子发射的几个方法是什么？
·
简述VFD的局限性及发展。
热门试题
·
简述AMOLED和PMOLED的区别。
·
试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采
·
简述有源矩阵液晶显示器的主要组成部件。
·
液晶显示器彩色显示实现方案如何？
·
简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
·
简述真空荧光显示的结构和原理。
·
简述微腔结构的特点。
·
OLED如何实现彩色显示？
·
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺
·
简述液晶显示器残像产生的原因。
