MCT与GTR、MOSFET、IGBT和Gto等器件相比具有哪些优点？
正确答案:1）电压电流容量大（阻断电压3KV、峰值电流1KA.
2）通态压降小（约1.1V，仅是IGBT的1/3）
3）对电流、电压的变化速率耐量高。
4）开关速度快损耗小、开通时间200ns，千伏关断时间小于2S
5）工作温度高（受限于反向漏电流，上限可达250°C270°C.
6）关断失效时不损坏器件。但电压不允许超过其工作范围。
2）通态压降小（约1.1V，仅是IGBT的1/3）
3）对电流、电压的变化速率耐量高。
4）开关速度快损耗小、开通时间200ns，千伏关断时间小于2S
5）工作温度高（受限于反向漏电流，上限可达250°C270°C.
6）关断失效时不损坏器件。但电压不允许超过其工作范围。
答案解析:有
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